1833 г. Полупроводники открыты Фарадеем после ряда экспериментов.
В 1874 г. учёный Браун, заявляет в статье об особенности полупроводников проводить ток только при одной полярности, что расходилось с законом Ома. Ученый мир в то время не заинтересовался этим открытием.
7 мая 1895 г. Полупроводниковые свойства твердого тела применены А.С.Поповым в опытах регистрации электромагнитных волн, а в 1900 г. он создаёт первый в мире кристаллический детектор.
В 1906 г. учёный Пикард запатентовал детектор на кристалле полупроводника.
1907 г. Генри Роунд открывает светодиод, описывая явление свечения в контакте карборундового детектора.
1910 г. Физик Уильям Иккл впервые демонстрирует «Генерирующий детектор». Необычное свойство полупроводников снова не заинтересовало ученых.
1922 г. Лосев, после ряда опытов описал усиливающий и генерирующий детектор, указав, что на вольт-амперной характеристике контакта кристаллов цинкита имеется круто-падающий N-образный участок. Открытый им двухполюсник послужил первоосновой туннельного диода.
Экспериментально Лосев подтвердил значительное усиливающее действие кристалла с цинкитом при использовании в качестве детектора в детекторном приёмнике, (в режиме, близком к генерации).
В 1923 г. Лосев запатентовал «Детекторный приемник-гетеродин» (Кристадин Лосева).
1924 г. Гетеродинный прием получил массовое применение и кристадин(«кристалл гетеродин») стал очень популярен.
1922—1927 г.г. Грёндаль и Гейгер изобрели и разработали медно-закисные полупроводниковые диоды.
В 1930-е годы выпущены селеновые выпрямительные диоды на смену медно-закисным, как более совершенные.
1923 г. Лосев экспериментально открывает «электронные генераторы света» (светодиоды) и за высокую яркость предугадал перспективу их использования как источник света. На западе: явление электролюминесценции называли «свет Лосева». Лосеву первому выдан патент на изобретение «светового электролюминесцентного реле-прибора».
В 1936 г. физик Жорж Дестрио также обнаруживает свечение («эффект Дестрио»), но автором открытия явления инжекционной люминесценции он считает Лосева.
1942 г. Начат промышленный выпуск кремниевых и германиевых точечных диодов.
1960-1969 г. Изделия из полупроводников внедряются во все отрасли народного хозяйства.
С 1970 года разрабатываются и широко используются полупроводниковые диоды различных типов: высокочастотные, СВЧ и импульсные диоды, варикапы, тиристоры, диодные матрицы, свето- и фотодиоды.
В настоящее время продолжается дальнейшее развитие полупроводниковых диодов с учетом современных требований, в том числе диоды в SMD-корпусах, светодиодные матрицы и сверх-яркие светоизлучающие диоды.