1924 год. В журнале «Радио Новости» предугадано: «скоро… мы поговорим о схеме с 3…6 кристаллами, как сейчас говорим о схеме с 3…6 лампами… — такое время наступит».(Речь в статье «Сенсационное изобретение», шла о кристадине Лосева, тогда очень популярного, благодаря способности усиливать радиосигналы).
1947 г. Создание первого точечного транзистора. (Первое называние «германиевый триод»).
1947 г. Шокли, разрабатывая теорию транзистора с p-n-переходами, изобретает плоскостной биполярный транзистор.
1948 г. В Европе появился точечный транзистор, именуемый «переходным»(«транзитрон»), который в 1951 году серийно выпускают в Париже для нужд телефонии.
1949 г. В СССР созданы германиевые транзисторы (С1 – С4).
1950 г. Разработан плоскостной биполярный транзистор.
1950…1952 гг. СССР производит германиевые транзисторы.
— Массовое производство германиевых биполярных транзисторов на выращенных переходах — («Шокли»).
1952 г. Выпуск опытных сплавных транзисторов.
1953 г. Серийное производство точечных транзисторов (ТС1 – ТС7).
- Выпущен первый в СССР плоскостной (в то время — слоистый) германиевый транзистор.
— Массовое применение транзисторов в электронных устройствах. Первые портативные радиоприемники в быту называли — «транзистором».
1954 г. Разработан мощный транзистор с коллекторным током до 1 А и мощностью до 25 Вт.
1955 г. Серийный выпуск плоскостных транзисторов (П1 – П3).
1957 г. Освоено производство кремниевых транзисторов методом двойной диффузии и химического травления. (Возможно получить сотни транзисторов на одной пластине).
1958 г. Выпущен кремниевый меза-транзистор 2N696, (100 экземпляров — приобрёл IBM по $150 за штуку).
1959 г. Жан Эрни первым разработал кремниевый планарный транзистор.
В 1961 г. название «полупроводниковые триоды» в СССР уточнено термином «транзисторы».
TO-18
TO-92
1963 г. Разработаны планарные транзисторы 2Т312 и бескорпусный 2Т319 (для гибридных схем).
1964 г. Выпуск в СССР первых планарных транзисторов.
1968 г. Создание гибридных тонкопленочных интегральных схем на основе бескорпусных транзисторов КТ318.
TO-126
1969 г. Транзисторы в металлическом корпусе (TO3, ТО36, ТО66) переводят на выпуск в пластмассовом (TO220 и др.).
1970 г. Серийное производство плоскостных и дрейфовых германиевых и кремниевых транзисторов.
2003 г. Представлен силовой транзистор технологии НПТ (технологии тонких пластин). Это повысило температуру перехода до 175°С.
Супер-247
2004 г. Выход силовых транзисторов в корпусах ТО247 и ТО220, а с 2005 года — в корпусе супер-247.
2006 г. Выпуск мощных (от 5 до 180 Вт) транзисторов из нитрида галлия на частоты до 4 ГГц.
2011 г. Серийное производство транзисторов из нитрида галлия (GaN).
2016 г. Промышленный выпуск СВЧ транзисторов из нитрида галлия.
В настоящее время ведутся работы по улучшению качества и характеристик современных транзисторов.